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UNIDAD DE ESTADO SOLIDO SYNOLOGY SSD M.2 2280 NVME SNV3410-400 GB PCIE GEN3 X4 LECT 3000MB/S ESCRIT 750MB/S, SOLO PARA EQUIPOS SYNOLOGY, PARA AUMENTO DE CACHE

Disponibilidad: Agotado

Marca: SYNOLOGY
Modelo: SNV3410-400G
Clave SAT: 43201830
Garantía: 5 AÑOS
$48,623.05

Especificaciones del Producto

Peso:
1.17 kg
Dimensiones:
Alto: 0.295 cm, Ancho: 0.275 cm, Largo: 0.11 cm
Categoría:
S P C D / DISCOS DUROS
DESCRIPCION COMERCIALLAS SSD NVME SNV3410/3510 DE SYNOLOGY SE HAN DISEÑADO PARA GESTIONAR CARGAS DE TRABAJO DE ALMACENAMIENTO EN CACHÉ DIFÍCILES EN UN ENTORNO MULTIUSUARIO PERMANENTE. SU RENDIMIENTO DE E/S CONSTANTE AUMENTA LA CAPACIDAD DE RESPUESTA DEL SISTEMA Y ACELERA LA GESTIÓN DE DATOS DE ACCESO FRECUENTE. DISEÑADA ESPECÍFICAMENTE PARA LOS SISTEMAS DE SYNOLOGY, LA GAMA DE UNIDADES DE ESTADO SÓLIDO NVME OFRECE UNA EXPERIENCIA DE ALMACENAMIENTO OPTIMIZADA A LA VEZ QUE MINIMIZA LAS INTERRUPCIONES DE LOS SERVICIOS. DESCRIPCION TECNICAESPECIFICACIONES DE HARDWARENÚMERO DE MODELO SNV3410-400GCAPACIDAD 400 GB FACTOR DE FORMA M.2 2280INTERFAZ NVME PCIE 3.0 X4RENDIMIENTOLECTURA SECUENCIAL (128 KB, QD32)1 3000 MB/S ESCRITURA SECUENCIAL (128 KB, QD32)1 750 MB/S LECTURA ALEATORIA (4 KB, QD256)1 225 000 IOPS ESCRITURA ALEATORIA (4 KB, QD256)1 45 000 IOPSRESISTENCIA Y FIABILIDADTERABYTES ESCRITOS (TBW)2 491 TBPROMEDIO DE TIEMPO ENTRE AVERÍAS(MTBF) 1,8 MILLONES DE HORASTASAS DE ERRORES DE BITS NOCORREGIBLES (UBER) < 1 SECTOR POR CADA 1017 BITS LEÍDOSPROTECCIÓN CONTRA PÉRDIDA DE ENERGÍA - NOCONSUMO ELÉCTRICOTENSIÓN DE ALIMENTACIÓN 3,3 V (± 5 %)LECTURA ACTIVA (TÍP.) 3,5 WESCRITURA ACTIVA (TÍP.) 3,3 WINACTIVO 1,6 WTEMPERATURATEMPERATURA DE FUNCIONAMIENTO DE 0 °C A 70 °C (DE 32 °F A 158 °F)TEMPERATURA DE ALMACENAMIENTO DE -40 °C A 85 °C (DE -40 °F A 185 °F)OTROSDIMENSIONES (AL. X AN. X PR.) 3,5 MM X 22 MM X 80 MM ENTORNO CUMPLE CON LA NORMATIVA ROHSCERTIFICACIÓN FCC, CE, EAC, BSMI, VCCI, RCM, KC, UKCA

Características
  • DESCRIPCION TECNICAESPECIFICACIONES DE HARDWARENÚMERO DE MODELO SNV3410-400GCAPACIDAD 400 GB FACTOR DE FORMA M.2 2280INTERFAZ NVME PCIE 3.0 X4RENDIMIENTOLECTURA SECUENCIAL (128 KB, QD32)1 3000 MB/S ESCRITURA SECUENCIAL (128 KB, QD32)1 750 MB/S LECTURA ALEATORIA (4 KB, QD256)1 225 000 IOPS ESCRITURA ALEATORIA (4 KB, QD256)1 45 000 IOPSRESISTENCIA Y FIABILIDADTERABYTES ESCRITOS (TBW)2 491 TBPROMEDIO DE TIEMPO ENTRE AVERÍAS(MTBF) 1,8 MILLONES DE HORASTASAS DE ERRORES DE BITS NOCORREGIBLES (UBER) < 1 SECTOR POR CADA 1017 BITS LEÍDOSPROTECCIÓN CONTRA PÉRDIDA DE ENERGÍA - NOCONSUMO ELÉCTRICOTENSIÓN DE ALIMENTACIÓN 3,3 V (± 5 %)LECTURA ACTIVA (TÍP.) 3,5 WESCRITURA ACTIVA (TÍP.) 3,3 WINACTIVO 1,6 WTEMPERATURATEMPERATURA DE FUNCIONAMIENTO DE 0 °C A 70 °C (DE 32 °F A 158 °F)TEMPERATURA DE ALMACENAMIENTO DE -40 °C A 85 °C (DE -40 °F A 185 °F)OTROSDIMENSIONES (AL. X AN. X PR.) 3,5 MM X 22 MM X 80 MM ENTORNO CUMPLE CON LA NORMATIVA ROHSCERTIFICACIÓN FCC, CE, EAC, BSMI, VCCI, RCM, KC, UKCA

Recursos Adicionales

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